FETin (JFET ja MOSFET) virtaa, eli kanavan leveyttä, ohjataan oikeastaan sähkökentällä, joka muodostetaan hilajännitteellä. Jännitteellä voidaan vetää puoleensa tai työntää kauemmaksi kanavassa olevia varauksia ja täten säädellä kanavan leveyttä (muistithan, että samanmerkkiset varaukset hylkivät toisiaan ja erimerkkiset vetävät toisiaan puoleensa). Merkittävää FETin toiminnassa on se, että FETin hilalle ei kulje (juuri) ollenkaan virtaa. MOSFETissa tämä käy ilmi selviten, sillä hilan ja kanavan välissä on sähköinen eriste - virta ei pääse kulkemaan hilalta kanavaan tai päinvastoin. Tämä tarkoittaa myös sitä, että jos ei virtaa kulje, ei FETin ohjaamiseen tarvita tehoa (P = UI, jos I = 0 -> P = 0)

FETtejä käytetään kytkimenä siten, että kanava joko on täysin johtava tai täysin johtamaton. Tämä onnistuu vaihtelemalla kahta, transistorista riippuvaa, jännittettä transistorin hilalla. Ohjausjännitteen vaihto pyritään tekemään mahdollisimman nopeasti laidasta toiseen. Vahvistimena FET toimii nk. lineaarisella alueella, jolloin kanavan resistanssia ja virtaa voidaan säädellä ohjausjännittellä. Tällöin FET voidaan ajatella toimivan jänniteohjattuna virtalähteenä. Transistoria ei saa ajaa täysin johtamattomaksi tai johtavaksi, kuten kytkinkäytössä, sillä tällöin vahvistettava signaali säröytyy. Vastaavasti jos kytkintransistori joutuu pitkäksi aikaa lineaariselle alueelle, syntyy helposti tehohäviöitä ja kytkin toimii hitaasti. Vahvistin- ja kytkinkäyttö poikkeavat sovelluksina niin paljon toisistaan, että eri sovelluksiin soveltuvat vain tähän tarkoitukseen optimoidut transistorit.

FETeillä on useita etuja seuraavaksi esiteltävään BJT-transistoriin nähden. FET vie vähemmän puolijohdetilaa, on yleensä helpompi valmistaa. MOSFET-transistoreita voidaan käyttää myös vastuksina ja kondensaattoreina, joten kokonaisia piirikytkentöjä (IC) voidaan valmistaa MOSFETeista. Myös FETin suuri tuloimpedanssi on etu BJT:hen verrattuna monessa käytännön sovelluksessa.